歡迎來到深圳市京都玉崎電子有限公司！
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產品分類 / PRODUCT
更新時間：2026-05-27 
瀏覽次數：177半導體行業對水平儀的精度要求，按工序 / 設備分檔非常明確，核心結論：
一、行業通用精度區間（換算對照）
角度精度：±0.001°～±0.005°
線值精度（1m 內）：±0.1 μm/m ～ ±5 μm/m（即 0.0001 mm/m ～ 0.005 mm/m）
粗略換算：0.001° ≈ 17.5 μm/m
二、各工序典型要求（從高到低）
1）光刻（EUV/DUV，最嚴）
水平精度：±0.001°（≤17.5 μm/m）
重復精度：≤±0.0005°
場景：晶圓臺、光學平臺、鏡頭組基準
原因：1° 傾斜≈焦平面偏移數 μm，直接導致套刻 / 良率報廢
2）刻蝕 / 沉積（PECVD、ALD、PVD）
水平精度：±0.001°～±0.002°（17.5～35 μm/m）
場景：反應腔、承載臺、蒸發源基座
影響：腔室不水平→等離子 / 氣流分布不均→膜厚 / 刻蝕深度不均
3）涂膠 / 顯影（Track）
水平精度：±0.002°～±0.005°（35～87 μm/m）
場景：大理石基臺、旋涂平臺
影響：膠厚不均→CD 不良、邊緣缺陷
4）CMP、檢測 / 量測（SEM、AFM、三坐標）
水平精度：±0.005°（≈87 μm/m）
場景：拋光平臺、檢測機基座、光學平臺
要求：長期穩定、抗振動、溫度漂移小
5）一般自動化設備（固晶、焊線、貼片機）
水平精度：±0.01°～±0.05°（0.175～0.87 mm/m）
三、為什么 SELN-001B 剛好匹配半導體
角度精度：±0.001°（=17.5 μm/m），直接覆蓋光刻 / 刻蝕最嚴標準
分辨率：0.0002°，可捕捉微小傾斜
零點重復性：≤±0.001°，長期穩定
分體式傳感器（φ50×19 mm）：可進入腔室 / 平臺內部狹小空間
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